晶体二极管
(1 ) 晶体二极管的结构
晶体二极管是一个经特殊封装, 有两个引出电极的PN 结。因为它是具有单向导电特性的一种半导体器件。由于硅和锗等半导体都是晶体结构, 所以人们常把半导体二极管和三极管称做晶体二极管和三极管。
图1 - 24 常见晶体二极管的外形图形符号
常见晶体管的外形和图形符号如图1 - 24 所示, 符号中的箭头表示PN 结正向电流的方向。二极管由P 型半导体引出的电极为正极。由N 型半导体引出的电极为负极。一般二极管的文字符号用D 表示。
晶体二极管按制造材料不同, 分硅二极管和锗二极管两种, 按PN 结的结构特点, 分点接触型和面接触型两种; 按用途分为, 普通二极管、整流二极管、稳压二极管、光敏二极管等。
(2 ) 晶体二极管的伏安特性
晶体二极管的伏安特性是指加在二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系。

在直角坐标中, 若以横坐标表示加在二极管两端的电压, 以纵坐标表示流过二极管的电流, 图1 - 25 所示为典型的锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线。

从曲线可以看出:
①晶体二极管具有正向导通性, 当正向电压超过一定数值后的( 锗管约0.3V, 硅管约0.7V) , 晶体二极管导通, 流过二极管的正向电流随正向电压的升高出现明显的增加。二极管刚开始导通时的电压称做导通电压。二极管导通后两端的电压叫管压降。
②晶体二极管具有反向截止特性, 当二极管处于反偏时截止, 其反向电流是很小的, 且在一个较大的电压范围内基本不变。通常硅二极管的反向电流比锗二极管小, 说明硅管的温度稳定性比锗管要好。
③二极管具有反向击穿特性。当加在二极管两端的反向电压大于某一值( 如图1 - 25 中Ua ) 后, 反向电流突然急剧增大, 此时称二极管被反向击穿。